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FET场效应管,Field Effect Transistor,包括结型和MOS管。在初学的时候,非常容易和三极管混淆。三极管一般老师都会花大量的篇幅介绍,所以学生们相对熟悉。(因为是考试的重点)反而FET管子,老师往往......
本文介绍了四种模拟输入信号的保护电路的实现方法。本文仅仅是起到抛砖引玉的作用,一方面希望大家提出宝贵的意见,另外也希望大家自行详细计算有关参数,因为文中的器件参数有可能不合适。近由于工作的需要,涉及到了模拟输入信号的保护......
两个运算放大器用于构建精密方波和三角波发生器电路。LF353套件包括两个JFET运算放大器,最适合此应用。输出信号频率由公式f=1/RC计算。该电路具有极宽的工作范围,几乎没有任何失真。R的值可能介于330欧姆和大约4.......
以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求,以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。 为了充分利......
SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P较适用于固定场所使用,例如广告、舞厅舞台等。应用时它的输出端可以外接可控硅直接使用交流220电源来控制彩灯, ......
SIC24P用于驱动直流LED应用电路SIC24P用于驱动直流LED应用电路此类IC具有低功耗、强驱动能力等优点,所构成的电路外转元件少、使用方便,可广泛用于广告舞台布置、胸花和室内装饰等方面。 ......
一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放 ......
摘要:本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电......
Cree的1.2kV,六组封装的碳化硅(SiC)功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐,近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2,该功率模......
功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET,采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造,具有超高耐压,低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......