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参考设计

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电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET

amy2025 2025-05-23

SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。线性区电子元件的线性区(或有源区)是无法循环所有可用电流......

SiC 电源设计

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

amy2025 2025-05-20

在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......

氮化镓 SiC 功率MOSFET

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

amy2025 2025-05-20

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......

氮化镓(GaN) 碳化硅(SiC)

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

amy2025 2025-05-16

碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20......

SiCMOSFET 碳化硅(SiC)

FET场效应管的原理和特点

fanxiaoxi 2024-07-05

FET场效应管，Field Effect Transistor，包括结型和MOS管。在初学的时候，非常容易和三极管混淆。三极管一般老师都会花大量的篇幅介绍，所以学生们相对熟悉。(因为是考试的重点)反而FET管子，老师往往......

三极管 二极管 场效应管 MOS管 JFET

四种模拟输入信号的保护电路实现方法

fanxiaoxi 2024-07-02

本文介绍了四种模拟输入信号的保护电路的实现方法。本文仅仅是起到抛砖引玉的作用，一方面希望大家提出宝贵的意见，另外也希望大家自行详细计算有关参数，因为文中的器件参数有可能不合适。近由于工作的需要，涉及到了模拟输入信号的保护......

三极管 保护电路 模拟 JFET 输入信号

使用LF353构建的函数发生器电路

fanxiaoxi 2024-06-04

两个运算放大器用于构建精密方波和三角波发生器电路。LF353套件包括两个JFET运算放大器，最适合此应用。输出信号频率由公式f=1/RC计算。该电路具有极宽的工作范围，几乎没有任何失真。R的值可能介于330欧姆和大约4.......

运算放大器 发生器电路 JFET 函数发生器 JFET LF

用于 SiC 解决方案设计的模块化评估平台

fanxiaoxi 2023-08-08

 以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求，以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。  为了充分利......

SiC 半导体

SIC24P用于控制交流彩灯

dolphin 2017-03-14

SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P较适用于固定场所使用，例如广告、舞厅舞台等。应用时它的输出端可以外接可控硅直接使用交流220电源来控制彩灯， ......

SIC 24P 24 控制交流

SIC24P用于驱动直流LED应

dolphin 2017-03-06

SIC24P用于驱动直流LED应用电路SIC24P用于驱动直流LED应用电路此类IC具有低功耗、强驱动能力等优点，所构成的电路外转元件少、使用方便，可广泛用于广告舞台布置、胸花和室内装饰等方面。 ......

SIC 24P LED 24
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